国巨研发有成 取得高容值MLCC技术
无源元件制造商郭巨公司最近宣布,其在高电容多层陶瓷电容器方面取得了重大技术突破。通过成功开发高电容x5r1210100μf mlcc,确立了其在无源器件领域的领先地位。根据定义,高电容mlcc是指电容大于1微法且介电层厚度小于4微米的产品。
郭巨100μfmlcc突破了介质层厚度和电极层厚度的限制。
中国巨叠层陶瓷电容器事业部副总经理胡湘琪表示,100μf大容量多层陶瓷电容器的研发成功,是台湾厂商首次成功研发并完成100μf高温稳定材料大容量多层陶瓷电容器,这推动了郭巨成为全球大容量多层陶瓷电容器的主要供应商。该公司mlcc技术中心副主任胡博士补充说,x5r1210100μf多层陶瓷电容器采用了多种先进技术,包括纳米粉体包覆、嵌入式电极、精密印刷、低温端电极等。通过整合郭巨全球R&D团队的资源、台湾大学材料科学与技术研究所R&D资源以及欧、美、日技术顾问的指导,公司对成功开发高价值mlcc产品具有前所未有的指导意义。
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就应用而言,mlcc具有100μf的高电容,可应用于液晶电视、液晶显示器、电源和许多低功耗手持消费电子产品。胡湘琪进一步指出,100μf高电容电容器市场过去一直以钽电容为主,而x5r1210100μf多层陶瓷电容器具有较高的温度稳定性,在-55℃至85℃的工作温度范围内误差值仅为15%,且产量稳定,可以有效替代钽电容器的市场需求。该公司的x5r1210100μf电容预计将在今年第三季度至第四季度大规模生产。
在这一研发成果中,郭巨突破了介质层厚度和电极层厚度的限制,成功推出了介质层厚度小于2微米、电极层厚度小于1微米的高电容值mlcc,堆叠层数达到800层以上。随着该技术的成功研发,郭巨今年的研发重点将持续努力锁定薄层技术的突破,主要是开发介电层为1.2微米的大容量系列产品,包括0201220、04021.5、060310、080517等。胡湘琪还指出,该组件广泛应用于信息产品,这也是郭巨新产品开发的重点。目前,正在加紧研发过程,预计060310 μ F电容将在今年年底前供货。
2005年,郭巨向台湾经济部工业局主导新产品开发咨询项目申请2200万新台币的资助,旨在研发x5r1210100μf大容量mlcc。胡指出,该计划分为十个子计划。在计划实施过程中,郭巨通过了各阶段的技术考核,并取得了满分,成功实现了计划设定的产量目标,并于2006年底完成。根据研发成果,针对mlcc技术的主要发展方向,如小型化、高容量、高耐压和高温(汽车工业),郭巨将继续提出具体计划,争取相关补贴。郭巨的三大主要产品——片式电阻器、mlcc和磁性材料——在全球市场上取得了优异的市场份额,片式电阻器位居世界第一,而另外两个产品则位列世界前三。其中,今年年底前,大容量mlcc月产量将达到124亿,是去年33亿的3.5倍。
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