近日，pcim asia 2016(上海国际电力元件及可再生能源管理展)在上海世博会展馆隆重举行。以“创新功率器件，打造可持续未来”为主题，三菱电机将八款新功率器件带到展会上，向公众展示其在功率半导体市场的非凡实力。

三菱电机今年展出的动力装置的应用范围跨越四大领域，包括变频电器、轨道牵引和动力传动、电动汽车、工业和新能源发电，致力于为客户提供高性能、低损耗的产品。

变频家电市场

在变频家用电器的应用方面，三菱电机在去年推出的slimdip模块的基础上，开发了slimdip-L和slimdip-s两种产品。slimdip-l用于变频器洗衣机和变频器空，而slimdip-s用于变频器冰箱和变频器风扇控制。
两者均采用rc-igbt芯片实现更高的集成度；与超小型dipipmtm相比，封装面积减少了30%。内置自举二极管和限流电阻；最高工作外壳温度提高到115℃；集成了短路保护和欠压保护，温度模拟输出版本和过温保护版本可供选择。

轨道牵引和电动汽车驱动市场

在2016年pcim亚洲展览会上，三菱电机为轨道牵引、电力传输和电动汽车带来了三个功率模块，它们是X系列单管和双管hvigbt模块，适用于牵引变流器和DC传输应用；J1系列igbt模块适用于电动汽车驱动器和高可靠性逆变器。

展览会上首次亮相的X系列双管高压igbt模块采用了cstbttm结构的第七代igbt和rfc二极管，以降低功耗；使用能够降低内部电感的封装技术来优化产品性能；两种封装(lv100/hv100)用于实现两种绝缘耐压(6kv/10kv)，但它们的外形尺寸相同。Lv100封装包括900a/1.7kv和450a/3.3kv。；Hv100封装包括450a/3.3kv、330a/4.5kv和225a/6.5kv。；它可以提高系统结构设计的灵活性，便于变频器的扩展。

X系列单管高压igbt模块采用第七代igbt和rfc二极管硅片技术，实现了较低的饱和压降和开关损耗；使用lnflr技术实现低热阻；最大允许工作结温为150℃；安全工作区(soa)具有较大的裕度和较强的后流恢复能力；封装与传统的H系列高压igbt兼容；；标准产品包括1800a/3.3kv、1350a/4.5kv和900a/6.5kv。；此外，还有一个6500v/1000a单管hvigbt，专为电力传输应用而开发，具有业界最大的规格。

j1系列汽车igbt模块是为电动汽车驱动器和高可靠性逆变器设计的，采用柳河一汽汽车igbt模块的针翅背板。它采用第七代igbt硅片技术，损耗较低；高可靠性的直接主终端绑定技术；以及基于硅片的温度和电流检测技术。J1系列有A和B两种封装。a类封装(小型封装)为300a/650v、600a/650v、400a/900v和300a/1200v。。b类封装(大封装)为1000a/650v和600a/1200v，可满足从小型电动汽车到大型电动公交车的应用要求。

对于j1系列新型汽车模块，三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套和薄膜电容器在内的整体解决方案技术支持，以方便客户快速应用该模块实现汽车逆变器的设计。

工业市场

在工业应用市场，三菱电气展示了其第七代igbt模块、集成整流器、逆变器和制动器的智能电源模块DIP ipm+以及G1系列智能电源模块(IPM)。

第七代igbt模块可用于普通变频器、伺服驱动器和不间断电源。采用第七代igbt硅片和二极管硅片来降低损耗；它有650伏、1200伏和1700伏三个电压等级；覆盖模块电流从75a到2500a；与现有市场的主流产品包装兼容；提高产品的热循环寿命和功率循环寿命；与传统硅脂相比，pc-tim使模块与散热器之间的接触热阻降低了50%。Nx封装有两个控制端子可供选择:焊接和压接。

dip pm+是一款集成整流器、逆变器和制动模块的产品，适用于驱动通用变频器、伺服驱动器和商用空可调压缩机。它完全集成了整流桥、逆变桥、制动单元和相应的驱动保护电路，并采用了第七代cstbttm硅片；内置短路保护、欠压保护和温度模拟输出功能；另一个内置自举二极管和自举限流电阻；提供覆盖50a/600v和5~35a/1200v的额定电流。利用该模块设计通用变频器可以简化pcb布线设计，最大限度地减少基板面积，是低成本低功率变频器的最佳解决方案。

g1系列ipm专为高端变频器和伺服电机驱动器的应用而设计。采用第七代igbt和fwdi芯片，实现更低的损耗；使用更适合伺服驱动器的窄而长的封装；控制端与电流l1系列兼容，采用相同的接口电路；针对不同的保护动作输出不同的故障识别信号；额定电流为25a~200a/1200v。

新能源发电市场

为了满足新能源发电，特别是光伏发电的市场需求，三菱电气向客户大力推荐第七代大功率三电平逆变器用igbt模块和单管igbt模块。

对于大功率光伏逆变器和大功率不间断电源，三菱电机推出了单管igbt模块用于大功率三电平逆变器。采用第六代和第七代igbt硅片实现低损耗；可以根据不同的需要构建工型或丁型三层拓扑结构；低杂散电感(1个单元模块8nh，2个单元模块12nh)；高绝缘和耐压高达4000vrms/1分钟；最高结温可达175℃。最大电流水平达到1400a/1200v和1000a/1700v。<。