德州仪器(德州仪器)宣布在其45纳米高性能芯片中使用高k介电薄膜，从而进入了高k介电薄膜的新时代。

Ti计划在栅叠层应用中使用高k介电薄膜，因为传统的二氧化硅材料正在耗尽。多年来，高k介电薄膜一直被认为可以解决芯片设计中的泄漏和功率问题。
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Ti计划首次在sunmicrosystems的sparc芯片中使用高k介电薄膜，并继续在45纳米及以上的芯片中使用。Ibm、英特尔和nec都宣布了使用高k介电薄膜的过程，而ti的高k介电薄膜具有一定的优势。

通过使用氮化物化学气相沉积技术，钛可以解决漏电问题，而不减少其他参数。