中国南车投资逾20亿元开发半导体
从中国南车获悉,在中国南车株洲分公司召开的“高电压、高功率密度igbt芯片与模块研发”评估会议上,中国唯一开发的电压等级和功率密度最高的6500伏高压igbt芯片与模块首次对外亮相。该项目代表了中国功率半导体器件行业最高水平的igbt技术。
从中国南车获悉,在中国南车株洲分公司召开的“高电压、高功率密度igbt芯片与模块研发”评估会议上,中国唯一开发的电压等级和功率密度最高的6500伏高压igbt芯片与模块首次对外亮相。该项目代表了中国功率半导体器件行业最高水平的igbt技术。
南车株洲研究所igbt事业部总经理刘向大智慧通讯社透露,南车株洲所在的igbt项目总投资超过20亿元。目前,全球近百名顶尖专家从事igbt器件芯片和模块技术的研发,克服了ibgt芯片设计、封装测试、可靠性测试和系统应用中的30多个难题,掌握了器件的整套技术。igbt的大规模专业化生产已经形成了完整的工艺体系。产品已批量应用于我国轨道交通、柔性DC传输和矿冶领域。该项目已申报20项专利,获得2项授权发明专利和2项实用新型专利。
目前,国内有几家企业从事中小规模igbt产品的组装,具备低端芯片(1200 V至1700 V电压等级)的R&D和模块封装能力。在高压igbt模块封装技术方面,包括南车株洲在内,只有少数企业掌握了这项技术。在关键的高压igbt芯片技术和后续系统应用方面,南车株洲研究所是国内唯一一家全面掌握igbt芯片技术研发、模块封装测试和 的研究所
南车株洲研究所作为中国电力电子器件原始创新能力的主要企业之一,从轨道交通用晶闸管和gto的最早发展,到新世纪igbt、IGBT等高端功率半导体器件的发展,走过了漫长的道路。“十一五”以来,在国家发展和改革委员会、工业和信息化部、科技部和地方各级政府的特殊产业政策以及国内轨道交通市场的推动下,公司的igbt等功率半导体行业发展迅速。中国第一条8英寸igbt芯片生产线始于2011年,现已投入试运行。届时,南车株洲将成为世界上唯一掌握功率半导体产品完整技术、大规模生产能力和市场应用的公司。
高电压、高功率密度igbt的应用领域已经从传统的电力、机械、矿山和冶金行业扩展到4c产业,再到轨道交通、柔性直流输电、航空空航天、新能源设备和特种设备等战略性新兴产业,这对促进国家节能减排、传统产业转型升级、装备制造水平提升、国防现代化和技术进步具有重要意义
目前,中国已经成为世界上最大的igbt产品消费市场。以高速电动车组、大功率机车、新能源设备和电网为主导的国内变频行业对igbt的年需求量超过50亿元,并且以每年15%以上的速度增长。随着国家产业结构的转型升级和战略性新兴产业的发展,高压高功率密度igbt将会有非常广泛的应用。
以前,高电压、高功率密度的igbt技术几乎被少数外国企业垄断,在中国仍然是一块空白。自2011年以来,南车株洲通过全球战略布局对这一高端技术进行了自主研究,吸收了国际领先的R&D资源,最终于去年12月在中国开发出首个从芯片到模块完全独立的3300伏igbt芯片。在此基础上,成功开发了4500伏和6500伏高功率密度igbt芯片和模块,初步形成了完整的igbt器件技术产品系列。
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