意法半导体为汽车市场推出新系列高压N沟道功率mosfet。新产品通过了aec-q101汽车测试认证，并采用了最先进的mdmeshtm dm2超级结制造工艺，在意法半导体中内置了快速恢复二极管。击穿电压范围为400v至650v，可采用d2pak、to-220和to-247封装。

400V和500v两种新产品是市场上第一款通过aec-q101认证的功率mosfet，而600v和650v产品的性能高于现有竞争产品。整个系列产品专为汽车应用而设计，内置快速恢复体二极管、具有较高恢复软系数的换向行为和背靠背栅源齐纳二极管保护功能。它们是全桥零电压开关拓扑的理想选择。

意法半导体的新型功率mosfet是汽车市场上具有最佳trr/qrr比和恢复软系数的功率mosfet，并且具有最佳的大电流关断能量，有助于提高汽车电源的能效。此外，内部快体二极管的性能非常出色，有助于降低电磁干扰和电磁干扰，使设计人员能够使用尺寸更小的无源滤波器。通过这种方式，mdmeshtm dm2技术使电源设计更加环保，能耗更低，从而最大限度地提高能效并缩小最终产品的尺寸。

意法半导体的新型汽车功率mosfet具有以下主要特性:

？快速恢复体二极管

？500v d2pak的栅极电荷和输入电容分别为44nc和1850pf

？低导通电阻

？最短的TRR: 600伏到247是120纳米；28a处；在48a 时，650v至-247为135ns

？栅源齐纳二极管保护